[SMM PV Flash] Publication de l'évaluation environnementale pour la transformation technologique du module photovoltaïque de Gokin Solar

Cette semaine, un important producteur pétrochimique a légèrement relevé le prix de règlement de l'EVA de qualité photovoltaïque par rapport au cycle précédent, à 11 300 yuans/tonne. Côté coûts, les fluctuations des prix des matières premières se sont récemment atténuées, mais restent à un niveau relativement élevé, soutenant ainsi les coûts de l'EVA. Parallèlement, certaines unités pétrochimiques sont successivement entrées en maintenance, resserrant davantage l'offre d'EVA. L'EVA de qualité moussante est également affectée par cette offre limitée, avec des prix en hausse continue, apportant un certain soutien à l'ensemble du marché. Dans l'ensemble, les prix de l'EVA de qualité photovoltaïque devraient se consolider sur une note ferme à court terme.

Récemment, AIKO a conclu un accord de coopération avec Infinity Power, l'un des principaux fournisseurs d'énergie renouvelable en Afrique, pour la fourniture de 773,5 MW de modules ABC à haut rendement destinés à trois projets solaires à grande échelle en Afrique du Sud. Avec la signature de cet accord, le volume cumulé de coopération entre les deux parties en Afrique dépasse désormais 2 GW, marquant une nouvelle étape dans l'expansion continue d'AIKO sur le marché centralisé au Moyen-Orient et en Afrique.

Selon l'Administration nationale de la propriété intellectuelle, Hengdian Group DMEGC Magnetics Co., Ltd. a déposé une demande de brevet intitulée « Procédé de préparation d'une cellule solaire », avec le numéro de publication CN122892299A et une date de dépôt en juin 2026. L'abrégé du brevet montre que la présente divulgation se rapporte au domaine technique des cellules solaires et divulgue un procédé de préparation d'une cellule solaire. Le procédé de préparation d'une cellule solaire comprend : la formation d'une première couche semi-conductrice dopée sur la surface de réception de la lumière d'une couche de base, et la formation d'une seconde couche semi-conductrice dopée sur la surface arrière de la couche de base ; au moins l'une de la première couche semi-conductrice dopée et de la seconde couche semi-conductrice dopée comprend des régions de contact et des régions sans contact disposées en alternance, où la surface des régions de contact fait saillie par rapport à la surface des régions sans contact, et la concentration de dopage des régions de contact est supérieure à celle des régions sans contact ; ou bien, la formation de premières couches semi-conductrices dopées et de secondes couches semi-conductrices dopées disposées en alternance sur la surface arrière de la couche de base, où les premières couches semi-conductrices dopées et les secondes couches semi-conductrices dopées sont configurées comme régions de contact ; et la formation d'une première électrode et d'une seconde électrode. La présente divulgation réalise un traitement différencié par régions, réduit la résistance de contact et améliore la tension en circuit ouvert et le courant de court-circuit de la cellule.