Shanghai (Gasgoo)- Le 21 janvier, Inventchip Technology (IVCT), un fournisseur chinois de semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC), a annoncé l'achèvement de la première tranche de son financement de série C, qui a permis de lever près d'un milliard de yuans.
Les fonds seront principalement utilisés pour soutenir la R&D des produits et techniques, l'expansion de la capacité de production de plaquettes en carbure de silicium (SiC) et les opérations de l'entreprise, visant à renforcer davantage la compétitivité des produits d'IVCT et à améliorer ses capacités d'approvisionnement en plaquettes.
Fondée en 2017, IVCT se concentre sur le développement de semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium et de produits de puces associés. Elle fournit des solutions complètes d'application SiC pour des secteurs tels que les véhicules à énergie nouvelle (NEV), le photovoltaïque et le stockage d'énergie, les alimentations industrielles et les bornes de recharge pour véhicules électriques.
Jusqu'à présent, IVCT a réalisé sept levées de fonds, sécurisant plus de 2 milliards de yuans au total. Ses investisseurs incluent des fonds nationaux, des fonds d'investissement gouvernementaux, des entreprises d'investissement renommées et des acteurs industriels tels que XPENG, GAC Capital et BAIC Group Industrial Investment.
Actuellement, les dispositifs de puissance SiC et les puces pilotes d'IVCT ont été appliqués à grande échelle dans de nombreux domaines. En 2024, l'entreprise a livré plus de 16 millions d'unités de MOSFET SiC, 18 millions d'unités de SBD SiC et près de 60 millions d'unités de puces pilotes.
Avec le lancement de la première génération de MOSFET SiC en 2020, IVCT a désormais atteint des livraisons à grande échelle des produits de deuxième génération susmentionnés.
En 2022, l'usine de plaquettes SiC de qualité automobile d'IVCT a commencé ses opérations, marquant sa transformation stratégique d'une entreprise Fabless à un IDM (Integrated Device Manufacturer).
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