[Analyse SMM] Technologie 0BB et coût des films d'encapsulation pour différentes voies (Partie 2)

Dans les méthodes de soudage traditionnelles, un amincissement supplémentaire des bandes de soudage des wafers en silicium présente un risque de rupture de grille, et un amincissement supplémentaire du poids du film d'encapsulation est difficile. Actuellement, le coût du film de surface est d'environ 3 yuans/m², mais il nécessite toujours une association avec un film d'encapsulation, ce qui entraîne un coût élevé. Avec la production de masse future et l'optimisation technologique, les coûts devraient encore diminuer. Le film d'encapsulation associé a actuellement été réduit à 200 g/m² et est encore en phase de test, avec certains modules d'échantillons testés par des fabricants de composants. Le film monobloc, extrudé en un seul processus, a un coût inférieur par rapport à la combinaison du film de surface et du film d'encapsulation. Actuellement, First, Betterial, Sveck et Lushan sont en tête en R&D. Les produits des séries CH(15) et CH(E) de First utilisent l'EVA comme matière première et adoptent des solutions de laminage direct ou de distribution, adaptés aux modules Topcon CF15(E)/(H) et aux modules HJT CF15(H). Le film intégré avec colle pèse 300-500 g/m², et le G400 EPE co-extrudé convient à HJT. Le film co-extrudé T400EPE convient à l'encapsulation intégrée Topcon. Les méthodes de distribution et de laminage n'utilisent pas de flux, économisant ainsi le temps de maintenance des équipements et les coûts de flux.

Comparé aux méthodes de soudage traditionnelles, la technologie 0BB offre un avantage d'efficacité de 3-5W. À l'avenir, en optimisant les matériaux des films d'encapsulation, une amélioration supplémentaire de l'efficacité de 5W est attendue. Dans le développement de l'hétérojonction (HJT), la technologie de métallisation par interconnexion en cuivre facilite non seulement les processus sans argent, mais protège également les wafers en silicium grâce à un traitement doux, améliorant la compatibilité avec les wafers fins 0BB. À l'avenir, la combinaison de l'interconnexion en cuivre, des wafers en silicium fins et de l'interconnexion 0BB deviendra une direction technologique clé pour le développement de l'hétérojonction.