[La UE planea reservar espectro satelital para empresas locales, EE. UU. advierte de posibles represalias]

El contrato de estaño más negociado en la SHFE cerró hoy con una subida del 0,69% a 379.980 yuanes/tonelada, con un rango intradía de 374.580-384.000 yuanes/tonelada y un volumen de negociación de 53.100 millones de yuanes. Según los últimos datos semanales de SMM publicados el viernes pasado (16 de octubre), el inventario social de lingotes de estaño de China cayó a 7.770 toneladas, con una desacumulación semanal de 980 toneladas, y los almacenes en las tres ubicaciones retrocedieron simultáneamente. Los warrants de estaño en la SHFE continuaron disminuyendo hasta alrededor de 3.280 toneladas, dejando una oferta entregable en bolsa ajustada. El mercado spot nacional se mantuvo en prima, con precios spot frente al contrato más negociado reportados con una prima de 2.000 yuanes/tonelada a mediados de octubre, significativamente más amplia que antes del feriado, y la estructura de backwardation en los contratos de meses cercanos proporcionó soporte spot a los futuros. Lógica central: Los inventarios de lingotes de estaño en China y en el extranjero se están desacumulando en tándem hasta rangos históricamente bajos, agravados por la lenta reanudación de la producción en el estado de Wa, Myanmar, y las perturbaciones de las políticas de exportación de Indonesia, con la oferta spot ajustada respaldando una estructura de backwardation sostenida. En adelante, se debe prestar atención a la posibilidad de una profundización de la estructura de backwardation en el LME.

La siguiente tabla muestra el movimiento de metales ferrosos y no ferrosos en la SHFE y la DCE el 19 de octubre de 2026.

Según un informe del domingo del Seoul Economic Daily, Samsung Electronics adoptará el proceso de 3 nanómetros de TSMC para producir los troqueles base de los chips HBM personalizados de próxima generación de Nvidia. Esta medida marcará la primera vez que Samsung colabora con TSMC en la etapa de fabricación de HBM. Citando fuentes de la industria, el periódico señaló que Nvidia ha pedido a Samsung, SK Hynix y Micron Technology que utilicen el proceso de TSMC para fabricar los troqueles base de NVHBM y que empleen tecnología DRAM de sexta generación para sus chips principales. Según la compañía, NVHBM, lanzado en agosto de este año, integra el controlador de memoria personalizado de Nvidia en el troquel base, con el objetivo de lograr una implementación estandarizada entre múltiples proveedores de memoria. Según el Seoul Economic Daily, Samsung aceptó la solicitud de Nvidia tras una evaluación interna, pero planea seguir utilizando su modelo de producción interno para HBM estándar y productos personalizados para otros clientes. Citando fuentes, el periódico indicó que Samsung también está evaluando si su propio fabricante por encargo puede producir troqueles base de NVHBM si la demanda supera la capacidad de TSMC.