[SMM PV Flash] Publicidad de la evaluación ambiental para la transformación tecnológica del módulo fotovoltaico de Gokin Solar

Esta semana, un importante productor petroquímico elevó ligeramente el precio de liquidación del EVA de grado fotovoltaico respecto al ciclo anterior, hasta 11.300 yuanes/tonelada. Por el lado de los costes, las fluctuaciones de los precios de las materias primas se han reducido recientemente, pero se mantienen en un nivel relativamente alto, lo que respalda los costes del EVA. Mientras tanto, algunas plantas petroquímicas han entrado sucesivamente en mantenimiento, lo que restringe aún más la oferta de EVA. El EVA de grado espumado también se ve afectado por la escasez de oferta, con precios que siguen subiendo, lo que brinda cierto soporte al mercado en general. En conjunto, se espera que los precios del EVA de grado fotovoltaico se consoliden con firmeza a corto plazo.

Recientemente, AIKO firmó un acuerdo de cooperación con Infinity Power, un proveedor líder de energías renovables en África, para suministrar 773,5 MW de módulos ABC de alta eficiencia para tres proyectos solares a gran escala en Sudáfrica. Con la firma de este acuerdo, la escala acumulada de cooperación entre ambas partes en África ha superado los 2 GW, lo que marca otro hito en la continua expansión de AIKO en el mercado centralizado de Oriente Medio y África.

Según la Administración Nacional de Propiedad Intelectual, Hengdian Group DMEGC Magnetics Co., Ltd. ha presentado una solicitud de patente titulada «Método de preparación de una célula solar», con número de publicación CN122892299A y fecha de solicitud de junio de 2026. El resumen de la patente muestra que la presente divulgación se refiere al campo técnico de las células solares y divulga un método de preparación de una célula solar. El método de preparación de una célula solar incluye: formar una primera capa semiconductora dopada sobre la superficie receptora de luz de una capa base, y formar una segunda capa semiconductora dopada sobre la superficie posterior de la capa base; al menos una de la primera capa semiconductora dopada y la segunda capa semiconductora dopada incluye regiones de contacto y regiones sin contacto dispuestas alternadamente, donde la superficie de las regiones de contacto sobresale con respecto a la superficie de las regiones sin contacto, y la concentración de dopaje de las regiones de contacto es mayor que la de las regiones sin contacto; o bien, formar primeras capas semiconductoras dopadas y segundas capas semiconductoras dopadas dispuestas alternadamente sobre la superficie posterior de la capa base, donde las primeras capas semiconductoras dopadas y las segundas capas semiconductoras dopadas están configuradas como regiones de contacto; y formar un primer electrodo y un segundo electrodo. La presente divulgación logra un tratamiento diferenciado por regiones, reduce la resistencia de contacto y mejora la tensión de circuito abierto y la corriente de cortocircuito de la célula.