[Qualcomm y Amazon alcanzan una colaboración multigeneracional para impulsar conjuntamente chips personalizados de IA para centros de datos]

Medios informaron, citando a Samsung Electronics, que Samsung Electronics ha abierto un centro de investigación y desarrollo de empaquetado avanzado de semiconductores en Yokohama, Japón. Samsung anunció previamente un plan para invertir unos 40 mil millones de yenes durante los cinco años a partir de 2024 para ampliar las instalaciones de hardware de investigación del laboratorio y reforzar sus capacidades en tecnología de empaquetado avanzado. El laboratorio de empaquetado avanzado colaborará con empresas, universidades e instituciones de investigación japonesas para desarrollar materiales y procesos de empaquetado de próxima generación. Samsung planea aumentar el personal de investigación de las instalaciones a más de 100 personas para 2027.

Según informes, impulsada por la continua afluencia de pedidos para el proceso de 2 nanómetros, con pedidos masivos de empresas tecnológicas estadounidenses como Tesla y Broadcom, la fábrica de obleas de Samsung Electronics en Taylor, Texas, comenzará la producción de prueba entre finales de este mes y principios del próximo. La fábrica opera actualmente a plena capacidad y toda la producción planificada ya está completamente reservada. Se informa que la tasa de rendimiento del proceso de 2 nanómetros rondaba el 60 % a principios de este año y recientemente ha alcanzado aproximadamente el 80 %, lo que permite la producción en masa. La fábrica planea iniciar la producción en masa el próximo año.

Según el Seoul Economic Daily, Samsung Electronics desarrollará conjuntamente la tecnología de litografía ultravioleta extrema (EUV) de alta apertura numérica con ASML, el mayor fabricante mundial de equipos de litografía. Samsung participa en un esfuerzo por impulsar un cambio en los estándares de la industria, pasando de las fotomáscaras de 6 pulgadas utilizadas desde los años ochenta a versiones de 12 pulgadas, y se esfuerza por ser el primero en establecer un sistema de producción en masa de DRAM basado en equipos EUV de alta apertura numérica. Samsung planea aplicar equipos EUV de alta apertura numérica a la producción de DRAM a partir de 2028, y posteriormente extenderá la tecnología a su proceso lógico avanzado de 1,4 nanómetros para impulsar el desarrollo de su negocio de fundición. El aumento del tamaño de la máscara tiene como objetivo compensar las limitaciones de la tecnología EUV. La EUV de alta apertura numérica tiene una apertura numérica un 66 % mayor que la EUV convencional, lo que permite formar patrones de circuitos más finos. Sustituir las máscaras de 6 pulgadas actualmente utilizadas por máscaras de 12 pulgadas puede mejorar la productividad de la fábrica y reducir los costes de fabricación de chips.