[Samsung presenta BV-NAND, zHBM y zNAND-O: 10 veces más densidad, 3 veces más eficiencia energética que HBM5]

Samsung presentó el prototipo V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) y los primeros modelos conceptuales de la industria de las arquitecturas zHBM y zNAND-O en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) celebrada en Santa Clara, California, EE. UU. El chip BV-NAND cuenta con más de 400 capas y adopta una novedosa arquitectura de unión de obleas para aumentar la densidad y el rendimiento de la memoria. En comparación con la generación anterior V9 NAND, ofrece una densidad de memoria aproximadamente un 58 % mayor, junto con mejoras significativas en el rendimiento de lectura, escritura y E/S, satisfaciendo las demandas de los sistemas de IA de soluciones de memoria de mayor capacidad y mayor eficiencia energética.

Para las arquitecturas zHBM y zNAND-O, Samsung logra una mayor capacidad de datos en un espacio más reducido apilando verticalmente las celdas de memoria. A diferencia de la HBM convencional, que se empaqueta junto a los procesadores de IA, zHBM apila la memoria verticalmente sobre el acelerador de IA, acortando así las distancias de transferencia de datos, aumentando el ancho de banda y mejorando la eficiencia energética. Samsung afirmó que se espera que su tecnología de unión de obleas ofrezca más de 10 veces la densidad de memoria de la HBM5 convencional, mejore la eficiencia energética en 3 veces y reduzca la resistencia térmica en más de la mitad.