[Nvidia estaría considerando reducir la capacidad de memoria del chip Rubin Ultra]

La Asociación China de Turismos (CPCA) publicó datos que muestran que, del 1 al 31 de julio, las ventas minoristas de turismos de nueva energía en China totalizaron 970.000 unidades, un descenso interanual del 2% y mensual del 4%, con ventas minoristas acumuladas en lo que va de año de 5,675 millones de unidades, un 12% menos interanual; del 1 al 31 de julio, las ventas al por mayor de turismos de nueva energía por parte de los fabricantes alcanzaron 1,463 millones de unidades, un 24% más interanual pero un 1% menos mensual, con ventas al por mayor acumuladas en el año de 8,251 millones de unidades, un 8% más interanual. Del 1 al 31 de julio, la tasa de penetración minorista del mercado nacional de nueva energía fue del 64,4%; la tasa de penetración mayorista de turismos de nueva energía de los fabricantes fue del 65,3%.

Samsung presentó el prototipo V10 Bonding V-NAND (BV-NAND) y los primeros modelos conceptuales de la industria de las arquitecturas zHBM y zNAND-O en la conferencia Future of Memory and Storage (FMS) celebrada en Santa Clara, California, EE. UU. El chip BV-NAND cuenta con más de 400 capas y adopta una novedosa arquitectura de unión de obleas para aumentar la densidad y el rendimiento de la memoria. En comparación con la generación anterior V9 NAND, ofrece una densidad de memoria aproximadamente un 58 % mayor, junto con mejoras significativas en el rendimiento de lectura, escritura y E/S, satisfaciendo las demandas de los sistemas de IA de soluciones de memoria de mayor capacidad y mayor eficiencia energética. Para las arquitecturas zHBM y zNAND-O, Samsung logra una mayor capacidad de datos en un espacio más reducido apilando verticalmente las celdas de memoria. A diferencia de la HBM convencional, que se empaqueta junto a los procesadores de IA, zHBM apila la memoria verticalmente sobre el acelerador de IA, acortando así las distancias de transferencia de datos, aumentando el ancho de banda y mejorando la eficiencia energética. Samsung afirmó que se espera que su tecnología de unión de obleas ofrezca más de 10 veces la densidad de memoria de la HBM5 convencional, mejore la eficiencia energética en 3 veces y reduzca la resistencia térmica en más de la mitad.

El periodista tecnológico independiente Tim Culpan señaló que las obleas del procesador A20 Pro fabricadas con el proceso N2 de TSMC muestran buen rendimiento y capacidad suficiente, con la producción del procesador prácticamente lista, y que este proceso no es un cuello de botella para los envíos del iPhone. Sin embargo, debido a una grave escasez de suministro de DRAM, las obleas de procesador terminadas no pueden empaquetarse posteriormente, lo que genera acumulación de inventario y presiona el almacenamiento de Apple y su cadena de suministro. A solo semanas del lanzamiento de la serie iPhone 18 y del iPhone Ultra plegable, Apple y sus ensambladores buscan urgentemente más chips DRAM móviles. En cuanto al suministro de DRAM, Apple depende principalmente de Micron Technology, y también recurre a SK Hynix y Samsung.