[SMM PV] 5.060 millones de yuanes! Gran movimiento de un líder fotovoltaico

Recientemente, la estación de almacenamiento de energía con batería de flujo redox totalmente de vanadio de Jimsar, en Xinjiang, pasó a operación comercial completa. Como el mayor proyecto de este tipo en China, su puesta en marcha marca un avance significativo en la aplicación a gran escala de tecnologías de almacenamiento de alta capacidad y larga duración en el país.

La última actualización de la Organización Meteorológica Mundial muestra que la probabilidad de que ocurra un fenómeno de El Niño de junio a agosto de 2026 es de hasta el 80 %, y se espera que persista al menos durante el invierno del hemisferio norte. La investigación de Solcast indica que durante eventos fuertes de El Niño pasados (especialmente de julio a septiembre), las diferencias regionales en la irradiancia horizontal superficial global se amplificaron drásticamente, con desviaciones máximas que alcanzaron alrededor del 10 %. Los impactos regionales son marcadamente divergentes: la irradiancia en Rajastán, India, podría estar aproximadamente un 15 % por encima de lo normal, y en el este de Australia alrededor de un 5 % por encima; mientras tanto, centros clave de instalación fotovoltaica como el este de China, California en Estados Unidos y el desierto de Atacama en Sudamérica experimentarán déficits persistentes de irradiancia, lo que repercutirá directamente en la producción real de energía de las plantas. Este cambio climático se está convirtiendo en una variable sistémica para la industria fotovoltaica en 2026 que no puede ignorarse.

El 23 de junio, el equipo llave en mano de desarrollo propio de Maxwell para células tándem HJT de perovskita/silicio fue entregado oficialmente en la base de producción de una empresa nacional de nuevas energías. Esto supone la primera entrega exitosa de un pedido comercial llave en mano en el sector de la tecnología tándem, lo que ayudará al cliente a establecer una línea de producción en masa de células tándem HJT de perovskita/silicio de media celda de 210 mm de área completa.