Fast Technology, tin ngày 17 tháng 6: Theo báo cáo từ truyền thông, nhóm của Tan Hairen tại Đại học Nam Kinh, cùng với Công ty Renshuo Solar Energy (Suzhou), đã đạt được bước đột phá quan trọng trong lĩnh vực công nghệ pin mặt trời perovskite kép toàn perovskite.
Nhóm nghiên cứu đã chế tạo thành công mô-đun pin mặt trời perovskite kép diện tích lớn, được chứng nhận bởi Phòng thí nghiệm Công nghệ Môi trường và An toàn Điện Nhật Bản (JET) với hiệu suất chuyển đổi quang điện lên tới 26,2%, thiết lập kỷ lục thế giới mới cho các mô-đun perovskite kép toàn perovskite cùng phân khúc diện tích.
Mô-đun có diện tích 65 cm², sử dụng cấu trúc tiếp giáp tái hợp đường hầm không có lớp vận chuyển lỗ trống. Nhóm đã thay thế sáng tạo lớp composite kim loại siêu mỏng truyền thống bằng một lớp chức năng nano tinh thể, và loại bỏ lớp vận chuyển lỗ trống PEDOT:PSS, qua đó tái cấu trúc thành công lớp kết nối giao diện.
![Tâm lý thị trường polysilicon yếu, chênh lệch giá giữa các tấm wafer kích cỡ khác nhau gia tăng [SMM Silicon-Based PV Morning Brief]](https://imgqn.smm.cn/usercenter/mfLxa20251217171736.jpg)
![[SMM Quang điện] Sun Village công bố chiến lược 'Lộ trình đến 2030': Hướng tới 2GW điện mặt trời và doanh thu 100 tỷ yên](https://imgqn.smm.cn/usercenter/GHTIQ20251217171741.jpg)
![[Phân tích SMM] Lịch sử phát triển, tiến hóa chính sách và xu hướng tương lai của thị trường năng lượng mặt trời Việt Nam](https://imgqn.smm.cn/usercenter/eUzyF20251217171739.jpg)
