[Tin nhanh SMM: Samsung được cho là hợp tác với NVIDIA để đẩy nhanh R&D bộ nhớ flash NAND thế hệ tiếp theo]

Đã xuất bản: Mar 13, 2026 10:08
Theo các báo cáo, Samsung Electronics đang hợp tác với NVIDIA để thúc đẩy phát triển chip bộ nhớ flash NAND thế hệ tiếp theo. Một nhóm nghiên cứu chung gồm Viện Nghiên cứu Chất bán dẫn Samsung, NVIDIA và Viện Công nghệ Georgia đã phát triển thành công mô hình “toán tử nơ-ron dựa trên vật lý”. Mô hình này phân tích hiệu năng của thiết bị NAND dựa trên vật liệu sắt điện nhanh hơn hơn 10.000 lần so với các mô hình hiện có, và các kết quả liên quan đã được công bố. Dựa trên những phát hiện nghiên cứu này, Samsung đang hợp tác với NVIDIA để phát triển và thương mại hóa bộ nhớ flash NAND sắt điện.

Tuyên bố về Nguồn Dữ liệu: Ngoại trừ thông tin công khai, tất cả dữ liệu khác được SMM xử lý dựa trên thông tin công khai, giao tiếp thị trường và dựa trên mô hình cơ sở dữ liệu nội bộ của SMM. Chúng chỉ mang tính chất tham khảo và không cấu thành khuyến nghị ra quyết định.

Để biết thêm thông tin hoặc có thắc mắc gì, vui lòng liên hệ: lemonzhao@smm.cn
Để biết thêm thông tin về cách truy cập báo cáo nghiên cứu, vui lòng liên hệ:service.en@smm.cn
Tin Liên Quan
Dữ liệu: Diễn biến thị trường SHFE, DCE (16/04)
8 giờ trước
Dữ liệu: Diễn biến thị trường SHFE, DCE (16/04)
Read More
Dữ liệu: Diễn biến thị trường SHFE, DCE (16/04)
Dữ liệu: Diễn biến thị trường SHFE, DCE (16/04)
Bảng dưới đây thể hiện biến động kim loại đen và kim loại màu trên SHFE và DCE ngày 16 tháng 4 năm 2026
8 giờ trước
Yếu tố vĩ mô trung tính và tâm lý chờ đợi chi phối thị trường kỳ hạn thiếc đi ngang, hàng giao ngay ở vùng giá cao chỉ có nhu cầu cứng rải rác [SMM Tin Midday Review]
12 giờ trước
Yếu tố vĩ mô trung tính và tâm lý chờ đợi chi phối thị trường kỳ hạn thiếc đi ngang, hàng giao ngay ở vùng giá cao chỉ có nhu cầu cứng rải rác [SMM Tin Midday Review]
Read More
Yếu tố vĩ mô trung tính và tâm lý chờ đợi chi phối thị trường kỳ hạn thiếc đi ngang, hàng giao ngay ở vùng giá cao chỉ có nhu cầu cứng rải rác [SMM Tin Midday Review]
Yếu tố vĩ mô trung tính và tâm lý chờ đợi chi phối thị trường kỳ hạn thiếc đi ngang, hàng giao ngay ở vùng giá cao chỉ có nhu cầu cứng rải rác [SMM Tin Midday Review]
[SMM Tổng hợp thị trường thiếc buổi trưa: Vĩ mô trung tính và tâm lý chờ đợi thúc đẩy hợp đồng tương lai đi ngang; Chỉ có nhu cầu cứng nhắc lẻ tẻ đối với hàng giao ngay trong vùng giá cao]
12 giờ trước
China Mobile công bố khung công nghệ Ethernet 400G đơn làn tại hội nghị
13 giờ trước
China Mobile công bố khung công nghệ Ethernet 400G đơn làn tại hội nghị
Read More
China Mobile công bố khung công nghệ Ethernet 400G đơn làn tại hội nghị
China Mobile công bố khung công nghệ Ethernet 400G đơn làn tại hội nghị
Ngày 15 tháng 4, China Mobile đã đi đầu công bố Báo cáo Tầng Vật lý Ethernet 400G Đơn Lane tại Hội nghị Kết nối Thông minh Đám mây - Mạng 2026, đề xuất một cách có hệ thống khung kỹ thuật cho tầng vật lý Ethernet 400G đơn lane. Ngày nay, khi quy mô tham số của các mô hình AI lớn không ngừng gia tăng, nhu cầu kết nối tốc độ cao giữa các GPU trong các trung tâm tính toán thông minh tăng trưởng nhanh chóng, đòi hỏi cấp thiết băng thông kết nối lớn hơn. Băng thông kết nối GPU đã đạt 1,6 Tbps. Để đạt băng thông kết nối trung tâm tính toán thông minh 3,2 Tbps, có hai hướng đi: "tăng tốc độ đơn lane" và "tăng số lượng lane." Với phương án đơn lane 200 Gbps hiện tại, cần tổng hợp 16 lane, gây áp lực lớn lên cổng, tản nhiệt và đi cáp, khiến việc triển khai gặp khó khăn. Với đơn lane 400 Gbps, chỉ cần tổng hợp 8 lane, trở thành giải pháp ưu việt và khả thi hơn. Đơn lane 400 Gbps không đơn thuần là tăng gấp đôi tốc độ, mà là một đổi mới mang tính hệ thống vượt qua giới hạn truyền dẫn vật lý, đối mặt với nhiều thách thức về lý thuyết, vật liệu, tích hợp và hợp tác trong ngành.
13 giờ trước
Theo các báo cáo, Samsung Electronics đang hợp tác với NVIDIA để thúc - Shanghai Metals Market (SMM)